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v 可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝
v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝
v 電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C
v 應(yīng)用方向：
? III-V族材料刻蝕工藝
? 固體激光器 InP刻蝕
? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
? 射頻器件低損傷 GaN刻蝕
? 類金剛石 （DLC） 沉積
? 二氧化硅和石英刻蝕
? 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
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